由于ccd采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制ccd传感器的成品率比cmos传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平，因此，ccd传感器的成本会高于cmos传感器。cmos传感器的每个象素都比ccd传感器复杂，其象素尺寸很难达到ccd传感器的水平，因此，当比较相同尺寸的ccd与cmos传感器时，ccd传感器的分辨率通常会优于cmos传感器的水平。
由于数据传送方式不同，因此ccd与cmos传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括：由于cmos传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与a/d转换电路)，ccd传感器厂家，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，ccd传感器厂，cmos传感器的灵敏度要低于ccd传感器。由于cmos传感器采用一般半导体电路的cmos工艺，可以轻易地将周边电路(如agc、cds、timing generator、或dsp等)集成到传感器芯片中，因此可以节省---芯片的成本
ccd是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个mos电容器(大多为光敏二极管)，它是在p 型si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000a～1500a的sio2，再在sio2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个mos电容器。当有1束光线投射到mos电容器上时，ccd传感器，光子穿过透明电极及氧化层，临安市ccd传感器，进入p型si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。
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