松溪县ccd传感器-ccd传感器厂-台湾研新(商家)

假设电荷存储在电极(加有10v电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在ccd所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压vth，vth称为ccd阈值电压，设vth=2v。所以每个电极下面都有一定---的势阱。显然，ccd传感器厂家，电极下面的势阱深，如果逐渐将电极的电压由2v增加到10v，这时，、两个电极下面的势阱具有同样的---，并合并在一起，原先存储在电极下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，松溪县ccd传感器，(b)和(c)所示，ccd传感器厂，然后再逐渐将电极下面的电压降到2v，使其势阱---降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极下面的势阱中，此过程就是电荷从电极到电极的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的ccd称为3相ccd。

由于cmos传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，ccd传感器多少钱，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的ccd传感器相比，cmos传感器的噪声就会增加很多，影响图像品质。例如，市面上cmos传感器可达到210万象素的水平(omnivision的 ov2610，2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，象素尺寸为4.25μm，但在2002年12月推出了icx452，其尺寸与 ov2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能---513万象素，象素尺寸也只有2.78μm的水平。

目前的趋势是将mcu与三个或更多mems传感器组合在一个封装中。其中一个例子是意法半导体的lis331eb，它将三轴数字加速度计与微控制器结合在一个3 x 3 x 1 mm封装中。该微控制器是一款---功耗arm cortex-m0，具有64 kb闪存，128 kb ram，嵌入式定时器，2xi2c（主/从）和spi（主/从）。lis331eb还可以内部处理外部传感器（总共9个）检测到的数据，例如陀螺仪，磁力计和压力传感器。作为传感器集线器，它将所有输入与inemo engine软件融合在一起。stmicroelectronics的inemo发动机传感器融合软件套件采用一套自适应预测和滤波算法来感知（或融合）来自多个传感器的复杂信息。

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