石狮市ccd传感器-ccd传感器厂家-台湾研新(商家)

ccd是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个mos电容器(大多为光敏二极管)，它是在p 型si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000a～1500a的sio2，再在sio2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个mos电容器。当有1束光线投射到mos电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入p型si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。

cmos传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但ccd传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18v；因此，ccd传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power ic)，高驱动电压更使其功耗远高于cmos传感器的水平。举例来说，ccd传感器报价，omnivision推出的ov7640(1/4英寸、vga)，ccd传感器厂家，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mw；而致力于低功耗ccd传感器的sanyo公司推出的1/7英寸、cif等级的产品，其功耗却仍保持在90mw 以上。因此ccd---量比cmos大，不能长时间在阳光下工作。